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| 一种非极性GaN薄膜的生长方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101364631B, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
发明人: 周健华; 郝茂盛; 颜建锋; 潘尧波; 周圣明
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| 在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100418240C, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2008-09-10
发明人: 谢自力; 张荣; 韩平; 刘成祥; 周圣明; 修向前; 刘斌; 李亮; 郑有炓; 顾书林; 江若琏; 施毅; 朱顺明; 胡立群
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| MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1210817C, 申请日期: 2005-07-13, 公开日期: 2005-07-13
发明人: 徐军; 周圣明; 杨卫桥; 彭观良; 李抒智; 周国清; 宋词; 杭寅; 蒋成勇; 赵广军; 司继良
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| 掺Yb3+和Cr4+离子的钇铝石榴石晶体的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1632183A, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2005-06-29
发明人: 徐军; 徐晓东; 赵志伟; 宋平新; 周国清; 周圣明; 苏良碧
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| LiGaO2/β－Ga2O3复合衬底材料的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1624864A, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2005-06-08
发明人: 徐军; 夏长泰; 周圣明; 杭寅; 张俊刚; 裴广庆
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| ZnO∶M2O3 (M=Al、Cr)导电衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1560902A, 申请日期: 2005-01-05, 公开日期: 2005-01-05
发明人: 杭寅; 宋词; 徐军; 周圣明; 杨卫桥; 王海丽; 严成峰
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| 蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1545145A, 申请日期: 2004-11-10, 公开日期: 2004-11-10
发明人: 徐军; 彭观良; 周圣明; 周国清; 蒋成勇; 王海丽; 李抒智; 赵广军; 张俊计; 刘军芳; 邹军; 王银珍; 吴锋; 庄漪
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| 蓝宝石基氮化物芯片的划片方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1529347A, 申请日期: 2004-09-15, 公开日期: 2004-09-15
发明人: 徐军; 蒋成勇; 周圣明; 杨卫桥; 周国清; 王银珍; 彭观良; 邹军; 刘士良; 张俊计; 邓佩珍
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| γ－LiAlO2/α－Al2O3柔性衬底材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1482688A, 申请日期: 2004-03-17, 公开日期: 2004-03-17
发明人: 徐军; 彭观良; 周圣明; 杨卫桥; 王海丽; 周国清; 杭寅; 赵广军; 李红军; 吴锋; 王静雅; 司继良; 蒋成勇; 宋词
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