Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| LiGaO2/β－Ga2O3复合衬底材料的制备方法 | |
| 其他题名 | LiGaO2/β－Ga2O3复合衬底材料的制备方法 |
| 徐军; 夏长泰; 周圣明; 杭寅; 张俊刚; 裴广庆 | |
| 2005-06-08 | |
| 专利权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 公开日期 | 2005-06-08 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种LiGaO2/β－Ga2O3复合衬底材料及其制备方法，包括如下具体步骤：在铂金坩埚内，放置有带气孔的LiGaO2和Li2O混合料块；将双面抛光或单面抛光的β－Ga2O3晶片置于或悬于铂金丝上，加上覆盖有LiGaO2和Li2O混合粉料和热电偶的坩埚盖，坩埚顶部加铂金盖密闭，置于电阻炉中；该电阻炉加热升温至700～1400℃左右，恒温20～100小时，Li2O扩散到β－Ga2O3晶片中，降温后可得到LiGaO2/β－Ga2O3复合衬底材料。本发明克服了α－Al2O3衬底晶格失配度大和难以获得大尺寸高质量LiGaO2单晶衬底等问题，可用于生长高质量InN－GaN薄膜外延生长。 |
| 其他摘要 | 一种LiGaO2/β－Ga2O3复合衬底材料及其制备方法，包括如下具体步骤：在铂金坩埚内，放置有带气孔的LiGaO2和Li2O混合料块；将双面抛光或单面抛光的β－Ga2O3晶片置于或悬于铂金丝上，加上覆盖有LiGaO2和Li2O混合粉料和热电偶的坩埚盖，坩埚顶部加铂金盖密闭，置于电阻炉中；该电阻炉加热升温至700～1400℃左右，恒温20～100小时，Li2O扩散到β－Ga2O3晶片中，降温后可得到LiGaO2/β－Ga2O3复合衬底材料。本发明克服了α－Al2O3衬底晶格失配度大和难以获得大尺寸高质量LiGaO2单晶衬底等问题，可用于生长高质量InN－GaN薄膜外延生长。 |
| 申请日期 | 2004-10-13 |
| 专利号 | CN1624864A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200410067127.1 |
| 公开（公告）号 | CN1624864A |
| IPC 分类号 | H01L21/00 | H01S5/00 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 张泽纯 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90214 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,夏长泰,周圣明,等. LiGaO2/β－Ga2O3复合衬底材料的制备方法. CN1624864A[P]. 2005-06-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1624864A.PDF（287KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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