Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 蓝宝石基氮化物芯片的划片方法 | |
| 其他题名 | 蓝宝石基氮化物芯片的划片方法 |
| 徐军; 蒋成勇; 周圣明; 杨卫桥; 周国清; 王银珍; 彭观良; 邹军; 刘士良; 张俊计; 邓佩珍 | |
| 2004-09-15 | |
| 专利权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 公开日期 | 2004-09-15 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种蓝宝石基氮化物芯片的划片方法，包括下列步骤：根据划片的要求采用铅板制造出中间有若干狭缝的辐照挡板；将已生长GaN的蓝宝石晶体背面与辐照挡板贴紧，采用Co60进行Gamma射线辐照，辐照剂量约为107Rad，然后将挡板旋转90°，进行同等剂量的辐照，使蓝宝石衬底上形成网状辐照线；采用248nm；KrF准分子激光对辐照后的GaN/蓝宝石LED芯片沿着辐照线进行划片；采用裂片机对已划片的GaN/蓝宝石LED芯片进行裂片，然后进行芯片探针测试及芯片分类。本发明的优点是：划片边缘光滑，不影响GaN的光电性能。 |
| 其他摘要 | 一种蓝宝石基氮化物芯片的划片方法，包括下列步骤：根据划片的要求采用铅板制造出中间有若干狭缝的辐照挡板；将已生长GaN的蓝宝石晶体背面与辐照挡板贴紧，采用Co60进行Gamma射线辐照，辐照剂量约为107Rad，然后将挡板旋转90°，进行同等剂量的辐照，使蓝宝石衬底上形成网状辐照线；采用248nm；KrF准分子激光对辐照后的GaN/蓝宝石LED芯片沿着辐照线进行划片；采用裂片机对已划片的GaN/蓝宝石LED芯片进行裂片，然后进行芯片探针测试及芯片分类。本发明的优点是：划片边缘光滑，不影响GaN的光电性能。 |
| 申请日期 | 2003-10-21 |
| 专利号 | CN1529347A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200310108068.3 |
| 公开（公告）号 | CN1529347A |
| IPC 分类号 | B23K26/38 | H01L21/301 | H01S5/00 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 张泽纯 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90731 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,蒋成勇,周圣明,等. 蓝宝石基氮化物芯片的划片方法. CN1529347A[P]. 2004-09-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1529347A.PDF（312KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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