在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法

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	在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法
其他题名	在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法
	谢自力; 张荣; 韩平; 刘成祥; 周圣明; 修向前; 刘斌; 李亮; 郑有炓; 顾书林; 江若琏; 施毅; 朱顺明; 胡立群
	2008-09-10
专利权人	南京大学
公开日期	2008-09-10
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	在β-Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β-Ga2O3衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，在500-1050℃温度范围通入载气N3，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β-Ga2O3衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长GaN缓冲层材料后在500-1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长N型GaN层，接着生长5-10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600-800℃温度和0.1-1小时退火时间进行退火激活。
其他摘要	在β-Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β-Ga2O3衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，在500-1050℃温度范围通入载气N3，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β-Ga2O3衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长GaN缓冲层材料后在500-1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长N型GaN层，接着生长5-10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600-800℃温度和0.1-1小时退火时间进行退火激活。
申请日期	2005-10-18
专利号	CN100418240C
专利状态	授权
申请号	CN200510094880.4
公开（公告）号	CN100418240C
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/343 \| H01L33/04
专利代理人	汤志武
代理机构	南京天翼专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48311
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南京大学
推荐引用方式 GB/T 7714	谢自力,张荣,韩平,等. 在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法. CN100418240C[P]. 2008-09-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN100418240C.PDF（437KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文