Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| ZnO∶M2O3 (M=Al、Cr)导电衬底的制备方法 | |
| 其他题名 | ZnO∶M2O3 (M=Al、Cr)导电衬底的制备方法 |
| 杭寅; 宋词; 徐军; 周圣明; 杨卫桥; 王海丽; 严成峰 | |
| 2005-01-05 | |
| 专利权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 公开日期 | 2005-01-05 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种ZnO∶M2O3 (M＝Al、Cr)导电衬底的制备方法，其特点是通过水热法合成使高温高压下的ZnO和M2O3 (Al2O3或Cr2O3)混合物的水溶液达到一定的过饱和度，在ZnO衬底晶片籽晶上生长ZnO∶M2O3 (M＝Al、Cr)导电衬底晶片。本发明所生长的掺质ZnO导电衬底材料(ZnO∶M2O3)与GaN晶格失配小，其导电性能使衬底晶片的背面容易进行电极接触，从而大大简化了器件的制作。而且重复性好，成本低，适用于批量生产。 |
| 其他摘要 | 一种ZnO∶M2O3 (M＝Al、Cr)导电衬底的制备方法，其特点是通过水热法合成使高温高压下的ZnO和M2O3 (Al2O3或Cr2O3)混合物的水溶液达到一定的过饱和度，在ZnO衬底晶片籽晶上生长ZnO∶M2O3 (M＝Al、Cr)导电衬底晶片。本发明所生长的掺质ZnO导电衬底材料(ZnO∶M2O3)与GaN晶格失配小，其导电性能使衬底晶片的背面容易进行电极接触，从而大大简化了器件的制作。而且重复性好，成本低，适用于批量生产。 |
| 申请日期 | 2004-03-04 |
| 专利号 | CN1560902A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200410016726.0 |
| 公开（公告）号 | CN1560902A |
| IPC 分类号 | H01L21/02 | H01L31/18 | H01L33/00 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 张泽纯 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90083 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杭寅,宋词,徐军,等. ZnO∶M2O3 (M=Al、Cr)导电衬底的制备方法. CN1560902A[P]. 2005-01-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1560902A.PDF（333KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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