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| GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN106785913A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31 发明人: 刘斌; 陶涛; 智婷; 张荣; 谢自力; 陈鹏; 陈敦军; 韩平; 施毅; 郑有炓 Adobe PDF(289Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:111/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 日盲紫外DBR及其制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN103400912A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2013-11-20 发明人: 陈敦军; 张荣; 郑有炓 Adobe PDF(1231Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:52/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 稀土掺杂硫系(卤)薄膜材料、制备方法及应用 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN102603190A, 申请日期: 2012-07-25, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 王学锋; 杨森林; 施毅; 张荣; 郑有炓 Adobe PDF(113Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:92/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN100418240C, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2008-09-10 发明人: 谢自力; 张荣; 韩平; 刘成祥; 周圣明; 修向前; 刘斌; 李亮; 郑有炓; 顾书林; 江若琏; 施毅; 朱顺明; 胡立群 Adobe PDF(437Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:122/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN1747130A, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2006-03-15 发明人: 施毅; 鄢波; 濮林; 张匡吉; 韩平; 张荣; 郑有炓 Adobe PDF(637Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:47/0  |  提交时间:2020/01/18 |