Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 掺Yb3+和Cr4+离子的钇铝石榴石晶体的制备方法 | |
| 其他题名 | 掺Yb3+和Cr4+离子的钇铝石榴石晶体的制备方法 |
| 徐军; 徐晓东; 赵志伟; 宋平新; 周国清; 周圣明; 苏良碧 | |
| 2005-06-29 | |
| 专利权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 公开日期 | 2005-06-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种掺Yb3+和Cr4+离子的钇铝石榴石晶体的制备方法，该方法的原料按下列反应方程式进行配方：3xYb2O3+3(1－x－z)Y2O3+5(1－y)Al2O3+5yCr2O3+6zCaCO3＝2Yb3xY3(1－x－z) Cr5yCa3zAl5(1－y) O (12－3z/2) +6zCO2其中0.05≤x≤0.5，0.01％≤y≤2％，y≤z≤5y，在普通的中频感应加热单晶炉内采用提拉法进行生长。本发明方法容易生长Yb3+和Cr4+离子的钇铝石榴石晶体，该晶体可直接采用InGaAs半导体激光器泵浦，实现1～6μm激发输出，能提高晶体激光性能。 |
| 其他摘要 | 一种掺Yb3+和Cr4+离子的钇铝石榴石晶体的制备方法，该方法的原料按下列反应方程式进行配方：3xYb2O3+3(1－x－z)Y2O3+5(1－y)Al2O3+5yCr2O3+6zCaCO3＝2Yb3xY3(1－x－z) Cr5yCa3zAl5(1－y) O (12－3z/2) +6zCO2其中0.05≤x≤0.5，0.01％≤y≤2％，y≤z≤5y，在普通的中频感应加热单晶炉内采用提拉法进行生长。本发明方法容易生长Yb3+和Cr4+离子的钇铝石榴石晶体，该晶体可直接采用InGaAs半导体激光器泵浦，实现1～6μm激发输出，能提高晶体激光性能。 |
| 申请日期 | 2004-11-02 |
| 专利号 | CN1632183A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200410067697.0 |
| 公开（公告）号 | CN1632183A |
| IPC 分类号 | C30B15/00 | C30B29/28 |
| 专利代理人 | 张泽纯 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85585 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,徐晓东,赵志伟,等. 掺Yb3+和Cr4+离子的钇铝石榴石晶体的制备方法. CN1632183A[P]. 2005-06-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1632183A.PDF（325KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [徐军]的文章 |
| [徐晓东]的文章 |
| [赵志伟]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [徐军]的文章 |
| [徐晓东]的文章 |
| [赵志伟]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [徐军]的文章 |
| [徐晓东]的文章 |
| [赵志伟]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论