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在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100418240C, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2008-09-10
发明人:  谢自力;  张荣;  韩平;  刘成祥;  周圣明;  修向前;  刘斌;  李亮;  郑有炓;  顾书林;  江若琏;  施毅;  朱顺明;  胡立群
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