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一种发光二极管芯片制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100541850C, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 2009-09-16
发明人:  朱广敏;  张楠;  郝茂盛;  齐胜利;  杨卫桥;  陈志忠;  张国义
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MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1210817C, 申请日期: 2005-07-13, 公开日期: 2005-07-13
发明人:  徐军;  周圣明;  杨卫桥;  彭观良;  李抒智;  周国清;  宋词;  杭寅;  蒋成勇;  赵广军;  司继良
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ZnO∶M2O3 (M=Al、Cr)导电衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1560902A, 申请日期: 2005-01-05, 公开日期: 2005-01-05
发明人:  杭寅;  宋词;  徐军;  周圣明;  杨卫桥;  王海丽;  严成峰
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蓝宝石基氮化物芯片的划片方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1529347A, 申请日期: 2004-09-15, 公开日期: 2004-09-15
发明人:  徐军;  蒋成勇;  周圣明;  杨卫桥;  周国清;  王银珍;  彭观良;  邹军;  刘士良;  张俊计;  邓佩珍
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γ－LiAlO2/α－Al2O3柔性衬底材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1482688A, 申请日期: 2004-03-17, 公开日期: 2004-03-17
发明人:  徐军;  彭观良;  周圣明;  杨卫桥;  王海丽;  周国清;  杭寅;  赵广军;  李红军;  吴锋;  王静雅;  司继良;  蒋成勇;  宋词
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