Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种半导体激光bar条 | |
| 其他题名 | 一种半导体激光bar条 |
| 关永莉; 米洪龙; 梁健; 李小兵; 王琳; 董海亮 | |
| 2018-04-03 | |
| 专利权人 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 公开日期 | 2018-04-03 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型涉及一种半导体激光bar条，包括：GaAs外延片；P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀有脊型电流注入区和非注入区，且部分P‑GaAs限制层未被P‑GaAs欧姆接触层覆盖住；GaAs外延片上刻蚀有光隔离区；形成有电流限制层，其中，电流限制层被刻蚀掉一部分以露出脊型电流注入区；电流限制层和脊型电流注入区上方形成有P面金属电极层，P面金属电极层上设置有电隔离区；GaAs衬底远离N‑GaAs限制层的一面形成有N面金属电极层。本方案，可以提高半导体激光bar条的稳定性和寿命。 |
| 其他摘要 | 本实用新型涉及一种半导体激光bar条，包括：GaAs外延片；P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀有脊型电流注入区和非注入区，且部分P‑GaAs限制层未被P‑GaAs欧姆接触层覆盖住；GaAs外延片上刻蚀有光隔离区；形成有电流限制层，其中，电流限制层被刻蚀掉一部分以露出脊型电流注入区；电流限制层和脊型电流注入区上方形成有P面金属电极层，P面金属电极层上设置有电隔离区；GaAs衬底远离N‑GaAs限制层的一面形成有N面金属电极层。本方案，可以提高半导体激光bar条的稳定性和寿命。 |
| 授权日期 | 2018-04-03 |
| 申请日期 | 2017-09-21 |
| 专利号 | CN207183793U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201721223023.4 |
| 公开（公告）号 | CN207183793U |
| IPC 分类号 | H01S5/024 | H01S5/022 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40633 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 关永莉,米洪龙,梁健,等. 一种半导体激光bar条. CN207183793U[P]. 2018-04-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN207183793U.PDF（154KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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