半导体激光巴条

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半导体激光巴条
其他题名	半导体激光巴条
	张乔; 关永莉; 米洪龙; 梁建; 王琳
	2018-12-21
专利权人	山西飞虹激光科技有限公司
公开日期	2018-12-21
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提供一种半导体激光巴条，属于半导体激光器领域。包括：由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑GaAs限制层、N‑GaAs波导层、量子阱、P‑GaAs波导层、P‑GaAs限制层和P‑GaAs欧姆接触层的GaAs外延片；P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀形成的脊型电流注入区和非电流注入窗口；GaAs外延片上刻蚀形成的光隔离区；在P‑GaAs欧姆接触层、未被P‑GaAs欧姆接触层覆盖的部分P‑GaAs限制层及光隔离区上方形成的电流限制层，电流限制层刻蚀掉一部分露出脊型电流注入区；电流限制层和脊型电流注入区上方的P面金属电极层，P面金属电极层的两端设有电隔离区；GaAs衬底远离N‑GaAs缓冲层的一面形成的N面金属电极层。本实用新型提高了巴条的输出效率、降低了阈值电流、提高了封装稳定性、产品良率和稳定性，延长了寿命。
其他摘要	本实用新型提供一种半导体激光巴条，属于半导体激光器领域。包括：由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑GaAs限制层、N‑GaAs波导层、量子阱、P‑GaAs波导层、P‑GaAs限制层和P‑GaAs欧姆接触层的GaAs外延片；P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀形成的脊型电流注入区和非电流注入窗口；GaAs外延片上刻蚀形成的光隔离区；在P‑GaAs欧姆接触层、未被P‑GaAs欧姆接触层覆盖的部分P‑GaAs限制层及光隔离区上方形成的电流限制层，电流限制层刻蚀掉一部分露出脊型电流注入区；电流限制层和脊型电流注入区上方的P面金属电极层，P面金属电极层的两端设有电隔离区；GaAs衬底远离N‑GaAs缓冲层的一面形成的N面金属电极层。本实用新型提高了巴条的输出效率、降低了阈值电流、提高了封装稳定性、产品良率和稳定性，延长了寿命。
授权日期	2018-12-21
申请日期	2018-05-04
专利号	CN208272358U
专利状态	授权
申请号	CN201820680930.X
公开（公告）号	CN208272358U
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/22
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37948
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山西飞虹激光科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张乔,关永莉,米洪龙,等. 半导体激光巴条. CN208272358U[P]. 2018-12-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN208272358U.PDF（610KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文