一种半导体激光bar条及其制备方法

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	一种半导体激光bar条及其制备方法
其他题名	一种半导体激光bar条及其制备方法
	关永莉; 米洪龙; 梁健; 李小兵; 王琳; 董海亮
	2017-12-15
专利权人	山西飞虹微纳米光电科技有限公司
公开日期	2017-12-15
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种半导体激光bar条及其制备方法，方法包括：制作GaAs外延片；在P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀出脊型电流注入区和非注入区，并露出部分所述P‑GaAs限制层；制作出光隔离区；形成将所述P‑GaAs欧姆接触层以及露出的部分所述P‑GaAs限制层均覆盖住的电流限制层，并对所述电流限制层进行刻蚀，以露出所述脊型电流注入区；在所述电流限制层和所述脊型电流注入区上方形成P面金属电极层，并在所述P面金属电极层上制作出电隔离区；在所述GaAs衬底远离所述N‑GaAs限制层的一面形成N面金属电极层。本方案，可以提高半导体激光bar条的稳定性和寿命。
其他摘要	本发明涉及一种半导体激光bar条及其制备方法，方法包括：制作GaAs外延片；在P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀出脊型电流注入区和非注入区，并露出部分所述P‑GaAs限制层；制作出光隔离区；形成将所述P‑GaAs欧姆接触层以及露出的部分所述P‑GaAs限制层均覆盖住的电流限制层，并对所述电流限制层进行刻蚀，以露出所述脊型电流注入区；在所述电流限制层和所述脊型电流注入区上方形成P面金属电极层，并在所述P面金属电极层上制作出电隔离区；在所述GaAs衬底远离所述N‑GaAs限制层的一面形成N面金属电极层。本方案，可以提高半导体激光bar条的稳定性和寿命。
主权项	一种半导体激光bar条，其特征在于，包括：GaAs外延片，其中，所述GaAs外延片从上往下依次为：P-GaAs欧姆接触层、P-GaAs限制层、P-GaAs波导层、量子阱、N-GaAs波导层、N-GaAs限制层和GaAs衬底；所述P-GaAs欧姆接触层上刻蚀有脊型电流注入区和非注入区，且部分所述P-GaAs限制层未被所述P-GaAs欧姆接触层覆盖住；所述GaAs外延片上刻蚀有光隔离区，所述光隔离区为从所述P-GaAs限制层未被所述P-GaAs欧姆接触层覆盖住的部分开始刻蚀，直到将所述P-GaAs限制层、P-GaAs波导层、量子阱、N-GaAs波导层刻穿所对应的被刻蚀掉的区域；在所述P-GaAs欧姆接触层以及未被所述P-GaAs欧姆接触层覆盖住的部分所述P-GaAs限制层上方形成有电流限制层，其中，所述电流限制层被刻蚀掉一部分以露出所述脊型电流注入区；所述电流限制层和所述脊型电流注入区上方形成有P面金属电极层，所述P面金属电极层上设置有电隔离区；所述GaAs衬底远离所述N-GaAs限制层的一面形成有N面金属电极层。
申请日期	2017-09-21
专利号	CN107482471A
专利状态	申请中
申请号	CN201710857923
公开（公告）号	CN107482471A
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/022
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56549
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山西飞虹微纳米光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	关永莉,米洪龙,梁健,等. 一种半导体激光bar条及其制备方法. CN107482471A[P]. 2017-12-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107482471A.PDF（571KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文