砷化镓激光器腔面以及砷化镓激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	砷化镓激光器腔面以及砷化镓激光器
其他题名	砷化镓激光器腔面以及砷化镓激光器
	米洪龙; 关永莉; 陈宇星; 王琳
	2018-08-31
专利权人	山西飞虹微纳米光电科技有限公司
公开日期	2018-08-31
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提供一种砷化镓激光器腔面及砷化镓激光器，属于半导体激光器领域；砷化镓激光器腔面包括自下而上设置的腔面本体、阻挡层、钝化膜以及反射膜；阻挡层是由等离子体Ar+经过电场加速后轰击腔面本体，再由混合等离子体NH+经过电场加速后与腔面本体的表层发生化学反应形成的；等离子体Ar+是由高真空条件下、10‑30sccm流量的氩气在离子源的作用下形成的，其轰击腔面本体的时间为5‑20min；混合等离子体NH+是由10‑30sccm流量的氮气和氢气混合气体在离子源的作用下形成的；其与腔面本体表层发生化学反应的时间为5‑10min；钝化膜的厚度为5‑15nm，反射膜通过镀膜工艺镀制在钝化膜上；本实用新型可大幅度提升砷化镓激光器的可靠性，保证其在高功率条件下的工作稳定性，并延长寿命。
其他摘要	本实用新型提供一种砷化镓激光器腔面及砷化镓激光器，属于半导体激光器领域；砷化镓激光器腔面包括自下而上设置的腔面本体、阻挡层、钝化膜以及反射膜；阻挡层是由等离子体Ar+经过电场加速后轰击腔面本体，再由混合等离子体NH+经过电场加速后与腔面本体的表层发生化学反应形成的；等离子体Ar+是由高真空条件下、10‑30sccm流量的氩气在离子源的作用下形成的，其轰击腔面本体的时间为5‑20min；混合等离子体NH+是由10‑30sccm流量的氮气和氢气混合气体在离子源的作用下形成的；其与腔面本体表层发生化学反应的时间为5‑10min；钝化膜的厚度为5‑15nm，反射膜通过镀膜工艺镀制在钝化膜上；本实用新型可大幅度提升砷化镓激光器的可靠性，保证其在高功率条件下的工作稳定性，并延长寿命。
授权日期	2018-08-31
申请日期	2017-09-21
专利号	CN207801155U
专利状态	授权
申请号	CN201721223025
公开（公告）号	CN207801155U
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41224
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山西飞虹微纳米光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	米洪龙,关永莉,陈宇星,等. 砷化镓激光器腔面以及砷化镓激光器. CN207801155U[P]. 2018-08-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN207801155U.PDF（390KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文