砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法
其他题名	砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法
	赵永超; 米洪龙; 李小兵; 郭永瑞; 关永莉; 陈宇星; 王琳
	2017-12-26
专利权人	山西飞虹微纳米光电科技有限公司
公开日期	2017-12-26
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法，属于半导体激光器领域；砷化镓激光器的腔面钝化方法包括：在高真空条件下，以10‑30sccm的流量给离子源通入氩气形成等离子体Ar+，等离子体Ar+经过电场加速后轰击砷化镓激光器的腔面5‑20min，以10‑30sccm的流量给离子源通入氮气和氢气的混合气体形成混合等离子体NH+，混合等离子体NH+经电场加速后与砷化镓激光器腔面的表层发生化学反应，5‑10min后形成阻挡层；在阻挡层上镀一层厚度为5‑15nm的钝化膜，采用镀膜工艺在钝化膜上镀制反射膜。本发明可大幅度提升砷化镓激光器的可靠性，保证砷化镓激光器在高功率条件下的工作稳定性，并延长砷化镓激光器的寿命。
其他摘要	本发明提供一种砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法，属于半导体激光器领域；砷化镓激光器的腔面钝化方法包括：在高真空条件下，以10‑30sccm的流量给离子源通入氩气形成等离子体Ar+，等离子体Ar+经过电场加速后轰击砷化镓激光器的腔面5‑20min，以10‑30sccm的流量给离子源通入氮气和氢气的混合气体形成混合等离子体NH+，混合等离子体NH+经电场加速后与砷化镓激光器腔面的表层发生化学反应，5‑10min后形成阻挡层；在阻挡层上镀一层厚度为5‑15nm的钝化膜，采用镀膜工艺在钝化膜上镀制反射膜。本发明可大幅度提升砷化镓激光器的可靠性，保证砷化镓激光器在高功率条件下的工作稳定性，并延长砷化镓激光器的寿命。
主权项	一种砷化镓激光器的腔面钝化方法，其特征在于，所述腔面钝化方法包括：在高真空条件下，以10-30sccm的流量给离子源通入氩气，氩气在离子源的作用下形成等离子体Ar+，等离子体Ar+经过电场加速后，轰击砷化镓激光器的腔面5-20min，以初步去除砷化镓激光器腔面的污染物和氧化层；轰击完成后，以10-30sccm的流量给离子源通入氮气和氢气的混合气体，氮气和氢气的混合气体在离子源的作用下形成混合等离子体NH+，混合等离子体NH+经电场加速后，与砷化镓激光器腔面的表层发生化学反应，5-10min后形成阻挡层，以彻底去除砷化镓激光器腔面的氧化层；在阻挡层上镀一层厚度为5-15nm的钝化膜，并采用镀膜工艺在钝化膜上镀制反射膜。
申请日期	2017-09-21
专利号	CN107516818A
专利状态	申请中
申请号	CN201710857619.8
公开（公告）号	CN107516818A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56561
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山西飞虹微纳米光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	赵永超,米洪龙,李小兵,等. 砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法. CN107516818A[P]. 2017-12-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107516818A.PDF（123KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文