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| 一种提高氮化镓基激光器性能的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105048285B, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 一种混合多芯平面光波导的结构及其耦合结构和耦合方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105759343B, 申请日期: 2018-03-02, 公开日期: 2018-03-02
发明人: 陈奔; 梁雪瑞; 朱虎; 胡百泉; 张玓; 刘成刚; 周日凯; 付永安; 孙莉萍; 马卫东; 余向红
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| 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104300366B, 申请日期: 2018-01-12, 公开日期: 2018-01-12
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104300365B, 申请日期: 2018-01-02, 公开日期: 2018-01-02
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 抑制GaAs基激光器高阶模的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104300367B, 申请日期: 2017-09-26, 公开日期: 2017-09-26
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104600565B, 申请日期: 2017-08-25, 公开日期: 2017-08-25
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 一种脉冲激光测距装置及采用该装置的脉冲激光测距方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103941262B, 申请日期: 2016-06-29, 公开日期: 2016-06-29
发明人: 王少平; 梁华为; 梅涛; 陈向成; 刘伟 ; 朱茂飞
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| 提高激光器量子阱载流子限制能力的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104577712A, 申请日期: 2015-04-29, 公开日期: 2015-04-29
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 一种激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104269740A, 申请日期: 2015-01-07, 公开日期: 2015-01-07
发明人: 李翔; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺; 江德生
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| 在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100418240C, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2008-09-10
发明人: 谢自力; 张荣; 韩平; 刘成祥; 周圣明; 修向前; 刘斌; 李亮; 郑有炓; 顾书林; 江若琏; 施毅; 朱顺明; 胡立群
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