抑制GaAs基激光器高阶模的方法

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	抑制GaAs基激光器高阶模的方法
其他题名	抑制GaAs基激光器高阶模的方法
	李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
	2017-09-26
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2017-09-26
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种抑制GaAs基激光器高阶模的方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型高折射率插入层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型高折射率插入层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型；步骤3：在制作成脊型的上面生长一层氧化模，并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极；步骤4：将砷化镓衬底减薄、清洗，并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极，形成激光器；步骤5：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制备。本发明通过对高折射率层合适的掺杂来增加高阶模的光学损耗，提高高阶模的激射阈值。
其他摘要	一种抑制GaAs基激光器高阶模的方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型高折射率插入层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型高折射率插入层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型；步骤3：在制作成脊型的上面生长一层氧化模，并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极；步骤4：将砷化镓衬底减薄、清洗，并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极，形成激光器；步骤5：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制备。本发明通过对高折射率层合适的掺杂来增加高阶模的光学损耗，提高高阶模的激射阈值。
申请日期	2014-10-21
专利号	CN104300367B
专利状态	授权
申请号	CN201410564609.1
公开（公告）号	CN104300367B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49237
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李翔,赵德刚,江德生,等. 抑制GaAs基激光器高阶模的方法. CN104300367B[P]. 2017-09-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104300367B.PDF（387KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文