一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法

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	一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法
其他题名	一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法
	李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
	2017-08-25
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2017-08-25
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，降低了电子能量。电子能量的降低不仅提高了量子阱捕获载流子效率还可以改善量子阱的温度特性，从而减小电子泄漏。本发明利用四元材料作为插入层，通过选择合适的材料组分，不仅使插入层带隙宽度降低，而且可以保持插入层的折射率和n型波导层折射率一致，避免了插入层的引入对光场分布的影响。因此，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，大大改善了GaAs基激光器阈值电流、电光转换效率等性能。
其他摘要	本发明公开了一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，降低了电子能量。电子能量的降低不仅提高了量子阱捕获载流子效率还可以改善量子阱的温度特性，从而减小电子泄漏。本发明利用四元材料作为插入层，通过选择合适的材料组分，不仅使插入层带隙宽度降低，而且可以保持插入层的折射率和n型波导层折射率一致，避免了插入层的引入对光场分布的影响。因此，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，大大改善了GaAs基激光器阈值电流、电光转换效率等性能。
申请日期	2015-01-22
专利号	CN104600565B
专利状态	授权
申请号	CN201510031845.1
公开（公告）号	CN104600565B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47944
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李翔,赵德刚,江德生,等. 一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法. CN104600565B[P]. 2017-08-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104600565B.PDF（460KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文