一种混合多芯平面光波导的结构及其耦合结构和耦合方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种混合多芯平面光波导的结构及其耦合结构和耦合方法
其他题名	一种混合多芯平面光波导的结构及其耦合结构和耦合方法
	陈奔; 梁雪瑞; 朱虎; 胡百泉; 张玓; 刘成刚; 周日凯; 付永安; 孙莉萍; 马卫东; 余向红
	2018-03-02
专利权人	武汉电信器件有限公司
公开日期	2018-03-02
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及光波导耦合技术领域，提供了一种混合多芯平面光波导的结构及其耦合结构和耦合方法。其中，平面光波导内包括用于传递光信号的二氧化硅主波导，以及辅助进光的副波导；副波导包括氮化硅副波导，氮化硅副波导紧贴着二氧化硅主波导。本发明实施例提出的混合多芯波导是指在PLC的激光器接口端加上二氧化硅主波导以外的氮化硅/二氧化硅副波导，形成混合多芯波导，改善耦合效率和对位容差。由于氮化硅波导的数值孔径NA较高，收光能力比二氧化硅波导强。混合多芯波导的作用相当于附加了收光更强的进光口，在经过一段过渡后所有的副波导消失，从而使得从附加进光口进入的光，通过波导平行耦合的方式汇入主波导，达到改善耦合效率和对位容差的目的。
其他摘要	本发明涉及光波导耦合技术领域，提供了一种混合多芯平面光波导的结构及其耦合结构和耦合方法。其中，平面光波导内包括用于传递光信号的二氧化硅主波导，以及辅助进光的副波导；副波导包括氮化硅副波导，氮化硅副波导紧贴着二氧化硅主波导。本发明实施例提出的混合多芯波导是指在PLC的激光器接口端加上二氧化硅主波导以外的氮化硅/二氧化硅副波导，形成混合多芯波导，改善耦合效率和对位容差。由于氮化硅波导的数值孔径NA较高，收光能力比二氧化硅波导强。混合多芯波导的作用相当于附加了收光更强的进光口，在经过一段过渡后所有的副波导消失，从而使得从附加进光口进入的光，通过波导平行耦合的方式汇入主波导，达到改善耦合效率和对位容差的目的。
授权日期	2018-03-02
申请日期	2016-05-17
专利号	CN105759343B
专利状态	授权
申请号	CN201610327114.6
公开（公告）号	CN105759343B
IPC 分类号	G02B6/00 \| G02B6/26
专利代理人	何婷
代理机构	深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39649
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉电信器件有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	陈奔,梁雪瑞,朱虎,等. 一种混合多芯平面光波导的结构及其耦合结构和耦合方法. CN105759343B[P]. 2018-03-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105759343B.PDF（1505KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文