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| 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109873299A, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
发明人: 杨静; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺; 梁锋
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| 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109860044A, 申请日期: 2019-06-07, 公开日期: 2019-06-07
发明人: 杨静; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺; 梁锋
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| 应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105811243B, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
发明人: 杨静; 赵德刚; 陈平; 朱建军; 刘宗顺
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| 一种提高氮化镓基激光器性能的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105048285B, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104300366B, 申请日期: 2018-01-12, 公开日期: 2018-01-12
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104300365B, 申请日期: 2018-01-02, 公开日期: 2018-01-02
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 抑制GaAs基激光器高阶模的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104300367B, 申请日期: 2017-09-26, 公开日期: 2017-09-26
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104600565B, 申请日期: 2017-08-25, 公开日期: 2017-08-25
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107069433A, 申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
发明人: 邢瑶; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军; 杨静
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| 具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104734015A, 申请日期: 2015-06-24, 公开日期: 2015-06-24
发明人: 陈平; 赵德刚; 朱建军; 刘宗顺; 江德生; 杨辉
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