Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 | |
| 其他题名 | 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 |
| 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 | |
| 2018-01-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2018-01-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底依次外延生长N型限制层、N型波导层、量子阱有源区、P型波导层、窄带隙插入层、宽带隙插入层、P型限制层和P型接触层；步骤2：采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，将P型接触层和P型限制层刻蚀成脊型；步骤3：在P型接触层的上表面制作P型欧姆电极；步骤4：将砷化镓衬底减薄、清洗；步骤5：在砷化镓衬底的背面制作N型欧姆电极，形成激光器；步骤6：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制作。本发明可以大大降低电子泄漏。 |
| 其他摘要 | 一种降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底依次外延生长N型限制层、N型波导层、量子阱有源区、P型波导层、窄带隙插入层、宽带隙插入层、P型限制层和P型接触层；步骤2：采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，将P型接触层和P型限制层刻蚀成脊型；步骤3：在P型接触层的上表面制作P型欧姆电极；步骤4：将砷化镓衬底减薄、清洗；步骤5：在砷化镓衬底的背面制作N型欧姆电极，形成激光器；步骤6：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制作。本发明可以大大降低电子泄漏。 |
| 申请日期 | 2014-10-21 |
| 专利号 | CN104300366B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201410563125.5 |
| 公开（公告）号 | CN104300366B |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 任岩 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49261 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李翔,赵德刚,江德生,等. 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法. CN104300366B[P]. 2018-01-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104300366B.PDF（118KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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