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一种太赫兹真空三极管及其制造方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201811621896.X, 申请日期: 2018-12-28, 公开日期: 2019-06-07
发明人:  阮存军;  戴军;  徐向晏;  刘虎林;  丁一坤
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一种阵列式太赫兹真空三极管器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201811621965.7, 申请日期: 2018-12-28, 公开日期: 2019-05-28
发明人:  阮存军;  戴军;  徐向晏;  刘虎林;  丁一坤
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2μm波段全光纤双波长宽调谐锁模激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106410578B, 申请日期: 2018-12-28, 公开日期: 2018-12-28
发明人:  王天枢;  张岩;  张鹏;  刘鹏;  马万卓;  贾青松;  李晓燕;  姜会林
Adobe PDF(576Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:151/1  |  提交时间:2019/12/24
生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109003883A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14
发明人:  李国强;  高芳亮;  张曙光;  徐珍珠;  余粤锋
Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:131/0  |  提交时间:2020/01/18
硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109003888A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14
发明人:  李国强;  高芳亮;  余粤锋;  徐珍珠
Adobe PDF(532Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:114/0  |  提交时间:2020/01/18
等离激元光子源器件以及产生表面等离激元光子的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105406357B, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2018-12-11
发明人:  钟旭;  佘敏敏;  黄军伟;  宋赣祥
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一种利用半导体激光器直写制备柔性电容器的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108962628A, 申请日期: 2018-12-07, 公开日期: 2018-12-07
发明人:  吴盾;  刘春林;  梁红伟;  王强;  曹峥;  成俊峰
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一种激光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108923257A, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2018-11-30
发明人:  雷双瑛;  郭斯佳;  沈海云
Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:78/0  |  提交时间:2019/12/30
一种利用半导体激光器诱导聚酰亚胺表面碳化制备纳米高比表面积碳颗粒的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108821262A, 申请日期: 2018-11-16, 公开日期: 2018-11-16
发明人:  吴盾;  刘春林;  成俊峰;  王强;  曹峥;  梁红伟
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一种脊形半导体激光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108832483A, 申请日期: 2018-11-16, 公开日期: 2018-11-16
发明人:  张雨;  于军;  张新;  朱振
Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:55/0  |  提交时间:2019/12/30