一种脊形半导体激光二极管的制备方法

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	一种脊形半导体激光二极管的制备方法
其他题名	一种脊形半导体激光二极管的制备方法
	张雨; 于军; 张新; 朱振
	2018-11-16
专利权人	潍坊华光光电子有限公司
公开日期	2018-11-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种脊形半导体激光二极管的制备方法，包括：(1)制备GaN LD外延片(2)利用掩膜、光刻工艺在所述GaN LD外延片的表面制备脊形结构，所述脊形结构的底边被光刻至所述P型波导层(3)向所述GaN LD外延片的表面采用离子注入方法形成绝缘层(4)蒸镀P型欧姆接触电极(5)制备P型层加厚电极；(6)蒸镀N型欧姆接触电极(7)将上述激光器解理、镀膜、切割后形成单个激光器的管芯。本发明在所述未设置脊形结构的P型波导层上、在所述脊形结构的侧壁上以及脊形结构的两端均设置有由离子注入方法制备的绝缘层，从而得到最小脊条宽度为1μm的激光器，易实现单模，热稳定性好，且不需要剥离，工艺简单。
其他摘要	一种脊形半导体激光二极管的制备方法，包括：(1)制备GaN LD外延片(2)利用掩膜、光刻工艺在所述GaN LD外延片的表面制备脊形结构，所述脊形结构的底边被光刻至所述P型波导层(3)向所述GaN LD外延片的表面采用离子注入方法形成绝缘层(4)蒸镀P型欧姆接触电极(5)制备P型层加厚电极；(6)蒸镀N型欧姆接触电极(7)将上述激光器解理、镀膜、切割后形成单个激光器的管芯。本发明在所述未设置脊形结构的P型波导层上、在所述脊形结构的侧壁上以及脊形结构的两端均设置有由离子注入方法制备的绝缘层，从而得到最小脊条宽度为1μm的激光器，易实现单模，热稳定性好，且不需要剥离，工艺简单。
主权项	一种脊形半导体激光二极管的制备方法，其特征在于，该制备方法包括： (1)制备GaN LD外延片，所述GaN LD外延片包括在衬底上依次设置的N型GaN欧姆接触层、N型AlGaN光限制层、N型波导层、有源区、P型波导层、P型AlGaN光限制层和P型GaN欧姆接触层； (2)利用掩膜、光刻工艺在所述GaN LD外延片的表面制备脊形结构，所述脊形结构的底边被光刻至所述P型波导层； (3)向所述GaN LD外延片的表面采用离子注入方法形成绝缘层，然后去除步骤(2)所述的掩膜； (4)在所述脊形结构的表面蒸镀P型欧姆接触电极； (5)在所述P型欧姆接触电极的表面制备P型层加厚电极； (6)将衬底减薄，蒸镀N型欧姆接触电极，制成激光器； (7)将上述激光器解理、镀膜、切割后形成单个激光器的管芯。
申请日期	2018-06-27
专利号	CN108832483A
专利状态	申请中
申请号	CN201810678555.X
公开（公告）号	CN108832483A
IPC 分类号	H01S5/22
专利代理人	杨树云
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57128
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	潍坊华光光电子有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张雨,于军,张新,等. 一种脊形半导体激光二极管的制备方法. CN108832483A[P]. 2018-11-16.

条目包含的文件
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CN108832483A.PDF（327KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文