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| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 专利 专利类型: 实用新型, 专利号: CN208570525U, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01 发明人: 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋 Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:97/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 专利 专利类型: 实用新型, 专利号: CN208570525U, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01 发明人: 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋 Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:110/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN109003883A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14 发明人: 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋 Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:129/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN109003888A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14 发明人: 李国强; 高芳亮; 余粤锋; 徐珍珠 Adobe PDF(532Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:114/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN108735866A, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2018-11-02 发明人: 高芳亮; 李国强; 徐珍珠; 余粤锋 Adobe PDF(546Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:108/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN104835718B, 申请日期: 2017-12-01, 公开日期: 2017-12-01 发明人: 李国强; 温雷; 高芳亮; 张曙光; 李景灵; 管云芳 Adobe PDF(451Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:91/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片 专利 专利类型: 实用新型, 专利号: CN206271710U, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20 发明人: 李国强; 高芳亮; 温雷; 张曙光; 徐珍珠; 韩晶磊; 余粤锋 Adobe PDF(69Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:81/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN106783948A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31 发明人: 李国强; 高芳亮; 温雷; 张曙光; 徐珍珠; 韩晶磊; 余粤锋 Adobe PDF(129Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:94/0  |  提交时间:2019/12/31 |