生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法

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	生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法
其他题名	生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法
	李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋
	2018-12-14
专利权人	华南理工大学
公开日期	2018-12-14
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法，该InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括Si/石墨烯复合衬底、生长在Si/石墨烯复合衬底上的n型掺杂GaN纳米柱，生长在n型掺杂GaN纳米柱顶部上的InGaN/GaN多量子阱，生长在InGaN/GaN多量子阱顶部的p型掺杂GaN纳米柱。本发明的制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱纳米柱缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。
其他摘要	本发明公开了生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法，该InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括Si/石墨烯复合衬底、生长在Si/石墨烯复合衬底上的n型掺杂GaN纳米柱，生长在n型掺杂GaN纳米柱顶部上的InGaN/GaN多量子阱，生长在InGaN/GaN多量子阱顶部的p型掺杂GaN纳米柱。本发明的制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱纳米柱缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。
申请日期	2018-06-30
专利号	CN109003883A
专利状态	申请中
申请号	CN201810704093.4
公开（公告）号	CN109003883A
IPC 分类号	H01L21/02 \| H01L31/0304 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/30
专利代理人	何淑珍 \| 冯振宁
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92294
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华南理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李国强,高芳亮,张曙光,等. 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法. CN109003883A[P]. 2018-12-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109003883A.PDF（531KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文