一种激光二极管及其制备方法

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	一种激光二极管及其制备方法
其他题名	一种激光二极管及其制备方法
	雷双瑛; 郭斯佳; 沈海云
	2018-11-30
专利权人	东南大学
公开日期	2018-11-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种激光二极管及其制备方法，所述二极管由下至上依次包括：下电极(1)、衬底(2)、下包覆层(3)、有源层(4)、上包覆层(5)和上电极(6)；其制备方法如下：1)在干净的硅衬底(2)上表面沉积下包覆层(3)；2)在下包覆层(3)上表面沉积有源层(4)；3)在有源层(4)上表面沉积上包覆层(5)；4)在上包覆层(5)上表面蒸镀一层金属层，作为上电极(6)；在硅衬底(2)的下表面蒸镀一层金属层，作为下电极(1)。该激光二极管具有氮化硼‑八磷化二钾异质结，不仅表现出较高的效率，而且其结构稳定，工作时间长，不易退化失效，制备工艺更简单。
其他摘要	本发明公开了一种激光二极管及其制备方法，所述二极管由下至上依次包括：下电极(1)、衬底(2)、下包覆层(3)、有源层(4)、上包覆层(5)和上电极(6)；其制备方法如下：1)在干净的硅衬底(2)上表面沉积下包覆层(3)；2)在下包覆层(3)上表面沉积有源层(4)；3)在有源层(4)上表面沉积上包覆层(5)；4)在上包覆层(5)上表面蒸镀一层金属层，作为上电极(6)；在硅衬底(2)的下表面蒸镀一层金属层，作为下电极(1)。该激光二极管具有氮化硼‑八磷化二钾异质结，不仅表现出较高的效率，而且其结构稳定，工作时间长，不易退化失效，制备工艺更简单。
主权项	一种激光二极管，其特征在于：该激光二极管含有氮化硼-八磷化二钾异质结，其结构包括硅衬底(2)，在硅衬底(2)的上表面设置有下包覆层(3)，包覆层(3)的上表面沉积有有源层(4)，有源层(4)上表面沉积有上包覆层(5)，在上包覆层(5)的上表面蒸镀金属层作为上电极(6)，在硅衬底(2)的下表面蒸镀有金属层作为下电极(1)。
申请日期	2018-06-13
专利号	CN108923257A
专利状态	申请中
申请号	CN201810606843.4
公开（公告）号	CN108923257A
IPC 分类号	H01S5/32 \| H01S5/34
专利代理人	柏尚春
代理机构	南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57174
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	东南大学
推荐引用方式 GB/T 7714	雷双瑛,郭斯佳,沈海云. 一种激光二极管及其制备方法. CN108923257A[P]. 2018-11-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108923257A.PDF（349KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文