一种利用半导体激光器诱导聚酰亚胺表面碳化制备纳米高比表面积碳颗粒的方法

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	一种利用半导体激光器诱导聚酰亚胺表面碳化制备纳米高比表面积碳颗粒的方法
其他题名	一种利用半导体激光器诱导聚酰亚胺表面碳化制备纳米高比表面积碳颗粒的方法
	吴盾; 刘春林; 成俊峰; 王强; 曹峥; 梁红伟
	2018-11-16
专利权人	常州大学
公开日期	2018-11-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种利用半导体激光器诱导聚酰亚胺表面碳化制备纳米高比表面积碳颗粒的方法。该制备方法是以聚酰亚胺为原料，通过半导体激光器对其表面进行诱导扫描处理，从而制得纳米高比表面积碳颗粒材料。本发明工艺简单，反应条件温和，所采用的原料廉价易得，所制备的纳米多孔碳颗粒材料具有比表面积大、石墨化程度高、氧含量少等特点，是一种有望应用于吸附、催化、导电、导热等领域的新型材料。
其他摘要	本发明涉及一种利用半导体激光器诱导聚酰亚胺表面碳化制备纳米高比表面积碳颗粒的方法。该制备方法是以聚酰亚胺为原料，通过半导体激光器对其表面进行诱导扫描处理，从而制得纳米高比表面积碳颗粒材料。本发明工艺简单，反应条件温和，所采用的原料廉价易得，所制备的纳米多孔碳颗粒材料具有比表面积大、石墨化程度高、氧含量少等特点，是一种有望应用于吸附、催化、导电、导热等领域的新型材料。
主权项	一种利用半导体激光器诱导聚酰亚胺表面碳化制备纳米高比表面积碳颗粒的方法；其特征在于：所述方法具体制备步骤为: 1)先将添加阻燃剂的聚酰亚胺制备成具有表面平整结构的膜或板材；用水或乙醇清洗，除去污染物，然后干燥； 2)直接使用半导体激光器激光对材料表面进行辐照扫描，在聚酰亚胺上完成激光诱导碳化制备纳米多孔碳颗粒。
申请日期	2018-07-10
专利号	CN108821262A
专利状态	申请中
申请号	CN201810748206.0
公开（公告）号	CN108821262A
IPC 分类号	C01B32/15 \| B82Y30/00 \| B82Y40/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57127
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	常州大学
推荐引用方式 GB/T 7714	吴盾,刘春林,成俊峰,等. 一种利用半导体激光器诱导聚酰亚胺表面碳化制备纳米高比表面积碳颗粒的方法. CN108821262A[P]. 2018-11-16.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108821262A.PDF（884KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文