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等离激元光子源器件以及产生表面等离激元光子的方法
其他题名等离激元光子源器件以及产生表面等离激元光子的方法
钟旭; 佘敏敏; 黄军伟; 宋赣祥
2018-12-11
专利权人上海电机学院
公开日期2018-12-11
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明提供了一种等离激元光子源器件以及产生表面等离激元光子的方法。本发明的产生表面等离激元光子的方法包括:在介质层表面制备一层石墨烯,作为表面等离激元传播载体;在石墨烯上制备一层半导体层,从而使得介质层和半导体层共同构成等离激元光子源的波导层,以限制表面等离激元模式;在半导体层内部形成一层半导体量子点;利用外部激光照射半导体层,使得量子点受激辐射出的光子由于等离激元强耦合作用而转化成在石墨烯中传播的等离激元光子。
其他摘要本发明提供了一种等离激元光子源器件以及产生表面等离激元光子的方法。本发明的产生表面等离激元光子的方法包括:在介质层表面制备一层石墨烯,作为表面等离激元传播载体;在石墨烯上制备一层半导体层,从而使得介质层和半导体层共同构成等离激元光子源的波导层,以限制表面等离激元模式;在半导体层内部形成一层半导体量子点;利用外部激光照射半导体层,使得量子点受激辐射出的光子由于等离激元强耦合作用而转化成在石墨烯中传播的等离激元光子。
申请日期2015-12-10
专利号CN105406357B
专利状态授权
申请号CN201510916835.6
公开(公告)号CN105406357B
IPC 分类号H01S5/34 | H01S5/042 | H01S5/10
专利代理人菅秀君
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49337
专题半导体激光器专利数据库
作者单位上海电机学院
推荐引用方式
GB/T 7714
钟旭,佘敏敏,黄军伟,等. 等离激元光子源器件以及产生表面等离激元光子的方法. CN105406357B[P]. 2018-12-11.
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