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単一のELOG成長により形成される横方向のp-n接合を有する窒化物半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006352133A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
发明人:  デイビッド·ボーア;  スコット·ダブリュー·コーザイン
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006339311A, 申请日期: 2006-12-14, 公开日期: 2006-12-14
发明人:  大郷 毅
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반도체 레이저 장치의 제조 방법 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: KR1020060127845A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13
发明人:  미야치마모루;  기무라요시노리;  지쿠마기요후미
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光通信伝送システム及び半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006286868A, 申请日期: 2006-10-19, 公开日期: 2006-10-19
发明人:  森島 嘉克
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半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006287055A, 申请日期: 2006-10-19, 公开日期: 2006-10-19
发明人:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  古川 秀利
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制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1838493A, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2006-09-27
发明人:  潘教青;  赵谦;  王圩;  朱洪亮
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一种III族氮化物衬底的生产设备 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1797711A, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2006-07-05
发明人:  刘祥林;  焦春美
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A new method to grow high quality GaN film by MOCVD 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3606-3610
作者:  Peng Dong-Sheng;  Feng Yu-Chun;  Wang Wen-Xin;  Liu Xiao-Feng;  Shi Wei;  Niu Han-Ben
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Surface Treated  Mocvd  Lateral Epitaxial Overgrown(Leo)  Gan Film  
外延襯底及其製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: HK1083030A, 申请日期: 2006-06-23, 公开日期: 2006-06-23
发明人:  羅伯特‧德維林斯基;  羅曼‧多拉津斯基;  耶日‧加爾欽斯基;  萊謝克‧西爾兹普托夫斯基;  神原康雄
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GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1779900A, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31
发明人:  张国义;  康香宁;  陈志忠;  陈皓明;  秦志新;  于彤军;  胡晓东;  章蓓;  杨志坚
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