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GaN基脊型激光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103138154A, 申请日期: 2013-06-05, 公开日期: 2013-06-05
发明人:  鲁辞莽;  康香宁;  胡晓东;  陈伟华;  张国义;  秦志新;  吴洁君;  于彤军;  陈志忠
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一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101976713A, 申请日期: 2011-02-16, 公开日期: 2011-02-16
发明人:  于彤军;  方浩;  陶岳彬;  李兴斌;  陈志忠;  杨志坚;  张国义
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一种发光二极管芯片制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100541850C, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 2009-09-16
发明人:  朱广敏;  张楠;  郝茂盛;  齐胜利;  杨卫桥;  陈志忠;  张国义
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自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100352116C, 申请日期: 2007-11-28, 公开日期: 2007-11-28
发明人:  康香宁;  胡晓东;  王琦;  章蓓;  杨志坚;  徐科;  陈志忠;  于彤军;  秦志新;  张国义
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高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1874012A, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2006-12-06
发明人:  康香宁;  章蓓;  陈勇;  包魁;  徐科;  张国义;  陈志忠;  胡晓东
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GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1779900A, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31
发明人:  张国义;  康香宁;  陈志忠;  陈皓明;  秦志新;  于彤军;  胡晓东;  章蓓;  杨志坚
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