GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法

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	GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法
其他题名	GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法
	张国义; 康香宁; 陈志忠; 陈皓明; 秦志新; 于彤军; 胡晓东; 章蓓; 杨志坚
	2006-05-31
专利权人	东莞市中镓半导体科技有限公司
公开日期	2006-05-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种实现大面积激光剥离蓝宝石上生长的GaN基外延层的方法，本发明提供了一种可以获得大面积的均匀的无蓝宝石衬底的完整的薄层GaN基外延膜，GaN基外延层是在蓝宝石衬底上用HVPE方法生长的厚膜或用MOCVD方法生长的薄层外延膜，将GaN外延片通过特定的焊接材料和工艺焊接在Si片等其他热导性和电导性良好的支撑材料上，保证GaN外延层和承载衬底具有好的电和热接触，同时又有相当的机械强度和耐温能力。利用由外向内的扫描方式及热衬底、加入激光阈值偏置等措施，从蓝宝石一侧使用对蓝宝石透明而GaN强烈吸收的脉冲激光扫描外延片，实现GaN外延层和蓝宝石衬底的大面积均匀分离。发明尤其有利于完整剥离大面积薄层外延膜，通常为2inch的GaN基外延片。
其他摘要	本发明涉及一种实现大面积激光剥离蓝宝石上生长的GaN基外延层的方法，本发明提供了一种可以获得大面积的均匀的无蓝宝石衬底的完整的薄层GaN基外延膜，GaN基外延层是在蓝宝石衬底上用HVPE方法生长的厚膜或用MOCVD方法生长的薄层外延膜，将GaN外延片通过特定的焊接材料和工艺焊接在Si片等其他热导性和电导性良好的支撑材料上，保证GaN外延层和承载衬底具有好的电和热接触，同时又有相当的机械强度和耐温能力。利用由外向内的扫描方式及热衬底、加入激光阈值偏置等措施，从蓝宝石一侧使用对蓝宝石透明而GaN强烈吸收的脉冲激光扫描外延片，实现GaN外延层和蓝宝石衬底的大面积均匀分离。发明尤其有利于完整剥离大面积薄层外延膜，通常为2inch的GaN基外延片。
申请日期	2004-11-23
专利号	CN1779900A
专利状态	授权
申请号	CN200410009840.0
公开（公告）号	CN1779900A
IPC 分类号	H01L21/00 \| B23K26/402 \| H01L31/18 \| H01S5/00
专利代理人	俞达成
代理机构	北京君尚知识产权代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92023
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	东莞市中镓半导体科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张国义,康香宁,陈志忠,等. GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法. CN1779900A[P]. 2006-05-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1779900A.PDF（534KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文