Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 外延襯底及其製造方法 | |
| 其他题名 | 外延襯底及其製造方法 |
| 羅伯特‧德維林斯基; 羅曼‧多拉津斯基; 耶日‧加爾欽斯基; 萊謝克‧西爾兹普托夫斯基; 神原康雄 | |
| 2006-06-23 | |
| 专利权人 | 阿莫諾公司 |
| 公开日期 | 2006-06-23 |
| 授权国家 | 中国香港 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种用于光电或电气器件的衬底，其包括利用气相外延生长的氮化物层，其中氮化物衬底的两个主表面基本分别由非N－极面与N－极面组成并且所述衬底的位错密度为5×105/cm2或更低。因此，该模板型衬底具有良好的位错密度和来自(0002)平面的X射线摇摆曲线的FWHM小于80的良好值，从而所得的模板型衬底非常适用于从气相如MOCVD、MBE与HVPE的外延衬底，因而可以制备良好的光电气器件如激光二极管及大输出的LED与良好的电气器件如MOSFET。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种用于光电或电气器件的衬底，其包括利用气相外延生长的氮化物层，其中氮化物衬底的两个主表面基本分别由非N－极面与N－极面组成并且所述衬底的位错密度为5×105/cm2或更低。因此，该模板型衬底具有良好的位错密度和来自(0002)平面的X射线摇摆曲线的FWHM小于80的良好值，从而所得的模板型衬底非常适用于从气相如MOCVD、MBE与HVPE的外延衬底，因而可以制备良好的光电气器件如激光二极管及大输出的LED与良好的电气器件如MOSFET。 |
| 主权项 | 一种用于光电或电气器件的衬底，其包括利用气相外延生长方法生长的氮化物层，其中氮化物衬底的两个主表面基本分别由非N-极面与N-极面组成并且所述衬底的位错密度为5×105/cm2或更低。 |
| 申请日期 | 2006-02-20 |
| 专利号 | HK1083030A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | HK06102217 |
| 公开（公告）号 | HK1083030A |
| IPC 分类号 | C30B | H01L |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | 萬慧達有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63219 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 阿莫諾公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 羅伯特‧德維林斯基,羅曼‧多拉津斯基,耶日‧加爾欽斯基,等. 外延襯底及其製造方法. HK1083030A[P]. 2006-06-23. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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