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一种III族氮化物衬底的生产设备 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1797711A, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2006-07-05
发明人:  刘祥林;  焦春美
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在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1779910A, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31
发明人:  刘祥林;  焦春美;  于英仪;  赵凤瑗
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Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1154155C, 申请日期: 2004-06-16, 公开日期: 2004-06-16
发明人:  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  袁海荣;  王占国
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半导体面发光器件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1133217C, 申请日期: 2003-12-31, 公开日期: 2003-12-31
发明人:  刘祥林;  陆大成;  王晓晖;  袁海荣
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一种单/多层异质量子点结构的制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1414644A, 申请日期: 2003-04-30, 公开日期: 2003-04-30
发明人:  陈振;  陆大成;  韩培德;  刘祥林;  王晓晖;  李昱峰;  王占国
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铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1361554A, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2002-07-31
发明人:  韩培德;  刘祥林;  王晓晖;  陆大成
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自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1354528A, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2002-06-19
发明人:  陆大成;  王晓晖;  姚文卿;  刘祥林
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一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1316782A, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2001-10-10
发明人:  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  王晓晖
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