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基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100447945C, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2008-12-31
发明人:  徐军;  章蓓;  张振生;  代涛
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氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101257080A, 申请日期: 2008-09-03, 公开日期: 2008-09-03
发明人:  胡晓东;  张国义;  章蓓;  杨志坚;  康香宁;  李睿;  陈伟华;  赵璐冰;  李丁
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自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100352116C, 申请日期: 2007-11-28, 公开日期: 2007-11-28
发明人:  康香宁;  胡晓东;  王琦;  章蓓;  杨志坚;  徐科;  陈志忠;  于彤军;  秦志新;  张国义
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高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1874012A, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2006-12-06
发明人:  康香宁;  章蓓;  陈勇;  包魁;  徐科;  张国义;  陈志忠;  胡晓东
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基于一维光子晶体的腔结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1829014A, 申请日期: 2006-09-06, 公开日期: 2006-09-06
发明人:  章蓓;  徐军;  张振生
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GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1779900A, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31
发明人:  张国义;  康香宁;  陈志忠;  陈皓明;  秦志新;  于彤军;  胡晓东;  章蓓;  杨志坚
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