半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ

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	半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ
其他题名	半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ
	福久敏哉; 萬濃正也; 古川秀利
	2006-10-19
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	2006-10-19
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】製造工程中に電流狭窄層の組成管理を確実に行い、安定したレーザ光の発振を可能とする半導体レーザを提供する。【解決手段】活性層の上にクラッド層と電流狭窄層とを順次積層形成することでリッジストライプ構造の半導体レーザを製造する製造方法であって、前記電流狭窄層の形成工程において、間接遷移型化合物半導体を主成分として第1の層を形成し、その上に直接遷移型化合物半導体を主成分として第2の層を形成して、前記第2の層の形成後には、外部より前記直接遷移型化合物半導体を励起させて前記第2の層から発せられる光学的特性を検査する検査工程を行う製造方法を用い、それによって得られる高出力で高精度なレーザ発振を可能とする半導体レーザの構成とする。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：通过在生产过程中确定地进行电流收缩层的成分管理来提供允许稳定激光束振荡的半导体激光器。解决方案：一种方法是通过在有源层上依次层叠包层和电流收缩层来制造具有脊形条纹结构的半导体激光器。在电流限制层的形成过程中，通过使用间接过渡型化合物半导体作为主要成分来形成第一层，并且通过使用直接过渡型化合物半导体作为主要成分在其上形成第二层。在形成第二层之后，制造方法采用检查工艺，通过从外部激发直接过渡型化合物半导体来检查从第二层发射的光学特性，并且半导体激光器以高输出振荡非常精确的激光，从而获得。 Ž
申请日期	2005-04-01
专利号	JP2006287055A
专利状态	失效
申请号	JP2005106633
公开（公告）号	JP2006287055A
IPC 分类号	H01S5/223 \| H01S5/00
专利代理人	中島司朗
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84769
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	福久敏哉,萬濃正也,古川秀利. 半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ. JP2006287055A[P]. 2006-10-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2006287055A.PDF（129KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文