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一种纳米线激光器外延结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109904723A, 申请日期: 2019-06-18, 公开日期: 2019-06-18
发明人:  董海亮;  许并社;  贾志刚;  张爱琴;  屈凯;  李天保;  梁建
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边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109802296A, 申请日期: 2019-05-24, 公开日期: 2019-05-24
发明人:  董海亮;  许并社;  贾志刚;  张爱琴;  屈凯;  李天保;  梁建
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半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 实用新型, 实用新型, 实用新型, 实用新型, 实用新型, 实用新型, 实用新型, 专利号: CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, 申请日期: 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 公开日期: 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17
发明人:  董海亮;  米洪龙;  许并社;  梁建;  贾志刚;  关永莉;  王琳;  张乔
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砷化镓激光巴条 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN207588214U, 申请日期: 2018-07-06, 公开日期: 2018-07-06
发明人:  董海亮;  米洪龙;  梁建;  许并社;  关永莉;  贾志刚;  王琳
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砷化镓激光巴条及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107732650A, 申请日期: 2018-02-23, 公开日期: 2018-02-23
发明人:  董海亮;  米洪龙;  梁建;  许并社;  关永莉;  贾志刚;  王琳
Adobe PDF(655Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：147/0  |  提交时间：2019/12/30
一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107069431A, 申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
发明人:  许并社;  贾志刚;  马淑芳;  梁建;  董海亮
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GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103151710B, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
发明人:  王琦;  贾志刚;  郭欣;  任晓敏;  黄永清
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GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103151710B, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
发明人:  王琦;  贾志刚;  郭欣;  任晓敏;  黄永清
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GaAs基多层自组织量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103199438A, 申请日期: 2013-07-10, 公开日期: 2013-07-10
发明人:  王琦;  贾志刚;  郭欣;  任晓敏;  黄永清
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半导体激光器腔面的钝化方法及半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109066287A, 公开日期: 2018-12-21
发明人:  董海亮;  米洪龙;  许并社;  梁建;  贾志刚;  关永莉;  王琳;  张乔
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