GaAs基多层自组织量子点结构及其制备方法

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	GaAs基多层自组织量子点结构及其制备方法
其他题名	GaAs基多层自组织量子点结构及其制备方法
	王琦; 贾志刚; 郭欣; 任晓敏; 黄永清
	2013-07-10
专利权人	北京邮电大学
公开日期	2013-07-10
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种GaAs基多层自组织量子点结构，涉及低维半导体量子点材料和结构的可控性生长技术领域，该结构包括：衬底、位于所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的N层量子点层及位于所述N层量子点层之上的帽层，所述每两层量子点层之间设有间隔层，其特征在于，至少有一组相邻两层量子点层之间的间隔层为两层，两层间隔层之间还设有应变补偿层。还公开了一种制备上述GaAs基多层自组织量子点结构的方法。本发明消除了多层量子点之间的应变积累，从而有效地减小了各层量子点间的相互影响，解决了由于应变积累导致的上层量子点变大的问题，改善了多层量子点的均匀性，同时还提高了多层量子点结构的周期数及模式增益。
其他摘要	本发明公开了一种GaAs基多层自组织量子点结构，涉及低维半导体量子点材料和结构的可控性生长技术领域，该结构包括：衬底、位于所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的N层量子点层及位于所述N层量子点层之上的帽层，所述每两层量子点层之间设有间隔层，其特征在于，至少有一组相邻两层量子点层之间的间隔层为两层，两层间隔层之间还设有应变补偿层。还公开了一种制备上述GaAs基多层自组织量子点结构的方法。本发明消除了多层量子点之间的应变积累，从而有效地减小了各层量子点间的相互影响，解决了由于应变积累导致的上层量子点变大的问题，改善了多层量子点的均匀性，同时还提高了多层量子点结构的周期数及模式增益。
申请日期	2012-01-04
专利号	CN103199438A
专利状态	授权
申请号	CN201210000830.5
公开（公告）号	CN103199438A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	王莹
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90291
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京邮电大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王琦,贾志刚,郭欣,等. GaAs基多层自组织量子点结构及其制备方法. CN103199438A[P]. 2013-07-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103199438A.PDF（646KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文