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GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103151710B, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
发明人:  王琦;  贾志刚;  郭欣;  任晓敏;  黄永清
Adobe PDF(501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：134/0  |  提交时间：2019/12/26
GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103151710B, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
发明人:  王琦;  贾志刚;  郭欣;  任晓敏;  黄永清
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