中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009176837A, 申请日期: 2009-08-06, 公开日期: 2009-08-06
发明人:  福島 正憲;  石田 昌宏
Adobe PDF(88Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009081373A, 申请日期: 2009-04-16, 公开日期: 2009-04-16
发明人:  左文字 克哉;  山田 篤志;  石田 昌宏
Adobe PDF(331Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2019/12/31
窒化物半導体装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008235396A, 申请日期: 2008-10-02, 公开日期: 2008-10-02
发明人:  石田 昌宏;  古池 進;  上田 大助
Adobe PDF(152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3792041B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28
发明人:  橋本 忠朗;  油利 正昭;  今藤 修;  石田 昌宏
Adobe PDF(213Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2019/12/24
窒化物半導体ウェハの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002222773A, 申请日期: 2002-08-09, 公开日期: 2002-08-09
发明人:  田村 聡之;  小川 雅弘;  石田 昌宏
Adobe PDF(34Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000315817A, 申请日期: 2000-11-14, 公开日期: 2000-11-14
发明人:  石田 昌宏;  油利 正昭;  今藤 修;  中村 真嗣;  折田 賢児
Adobe PDF(39Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2020/01/18
窒化物半導体の結晶成長方法および窒化物半導体装置並びにその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000049092A, 申请日期: 2000-02-18, 公开日期: 2000-02-18
发明人:  伊藤 国雄;  石田 昌宏
Adobe PDF(173Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999330547A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30
发明人:  伊藤 国雄;  石田 昌宏
Adobe PDF(37Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2020/01/13
窒化物系化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998284802A, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1998-10-23
发明人:  今藤 修;  油利 正昭;  橋本 忠朗;  石田 昌宏;  杉野 隆
Adobe PDF(34Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2020/01/18
III族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997249499A, 申请日期: 1997-09-22, 公开日期: 1997-09-22
发明人:  橋本 忠朗;  今藤 修;  石田 昌宏;  杉野 隆
Adobe PDF(149Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：325/0  |  提交时间：2019/12/31