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衬底的分割方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100490191C, 申请日期: 2009-05-20, 公开日期: 2009-05-20
发明人:  上田哲三;  上田大助
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发光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100472818C, 申请日期: 2009-03-25, 公开日期: 2009-03-25
发明人:  油利正昭;  上田大助
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窒化物半導体装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008235396A, 申请日期: 2008-10-02, 公开日期: 2008-10-02
发明人:  石田 昌宏;  古池 進;  上田 大助
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4057861B2, 申请日期: 2007-12-21, 公开日期: 2008-03-05
发明人:  小野澤 和利;  上田 哲三;  上田 大助
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半導体装置及び基板の分割方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2005072575A, 申请日期: 2005-03-17, 公开日期: 2005-03-17
发明人:  上田 哲三;  上田 大助
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半导体装置的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1485963A, 申请日期: 2004-03-31, 公开日期: 2004-03-31
发明人:  小野泽和利;  上田哲三;  上田大助
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半導体発光装置および半導体基板 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001345508A, 申请日期: 2001-12-14, 公开日期: 2001-12-14
发明人:  高須賀 祥一;  中西 直樹;  山中 一彦;  中西 秀行;  上田 大助
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