Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体装置 | |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 石田 昌宏; 油利 正昭; 今藤 修; 中村 真嗣; 折田 賢児 | |
| 2000-11-14 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRONICS INDUSTRY CORP |
| 公开日期 | 2000-11-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 窒化物系化合物の半導体層上に低抵抗で信頼性よく、かつ透光性の優れた電極を得る。 【解決手段】 サファイア基板1の上にGaNよりなるバッファ層2、GaNよりなるn型クラッド層3、In0.2Ga0.8Nよりなる発光層4、GaNよりなるp型クラッド層5が順次形成され、p型クラッド層5の上にグラファイトの膜よりなる正電極7が形成されたものである。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过在具有导电性的特定半导体层上设置包括碳膜的电极来增强半透明性，从而抑制浪涌击穿和缺陷的发生并降低电阻。解决方案：GaN缓冲层2和Al x Ga 1-x-yInyN的Si掺杂n型覆层3（0 <= x <= 1,0 <= y <= 1,0 <= x + y <= 1在蓝宝石衬底1上形成In0.2Ga0.8N的未掺杂发光层4和AlxGa1-x-yInyN的Mg掺杂p型覆盖层5，形成在包层的部分区域上。在暴露的n型覆盖层3上形成石墨膜的负电极6，并在p型覆盖层5上形成石墨膜的正电极7。短路，延迟，电极电阻率降低，发光效率提高。 |
| 申请日期 | 1999-04-28 |
| 专利号 | JP2000315817A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999122138 |
| 公开（公告）号 | JP2000315817A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01L33/12 | H01L33/42 | H01L33/62 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 岩橋 文雄 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86484 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRONICS INDUSTRY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石田 昌宏,油利 正昭,今藤 修,等. 半導体装置. JP2000315817A[P]. 2000-11-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000315817A.PDF（39KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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