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半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000315817A, 申请日期: 2000-11-14, 公开日期: 2000-11-14
发明人:  石田 昌宏;  油利 正昭;  今藤 修;  中村 真嗣;  折田 賢児
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電界吸収型半導体光変調器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3004902B2, 申请日期: 1999-11-19, 公开日期: 2000-01-31
发明人:  中村 真嗣;  上山 智;  松井 康
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半導体装置の製造方法及び半導体基板 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997106936A, 申请日期: 1997-04-22, 公开日期: 1997-04-22
发明人:  中村 真嗣;  松井 康;  石野 正人
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光半導体モジュール及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995287149A, 申请日期: 1995-10-31, 公开日期: 1995-10-31
发明人:  森 義弘;  中村 真嗣;  松井 康
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995111362A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25
发明人:  大塚 信之;  中村 真嗣;  鬼頭 雅弘;  松井 康
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面発光型半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997283836A, 公开日期: 1997-10-31
发明人:  中村 真嗣;  松田 賢一
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