Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体ウェハの製造方法 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体ウェハの製造方法 |
| 田村 聡之; 小川 雅弘; 石田 昌宏 | |
| 2002-08-09 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 2002-08-09 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 窒化物半導体と母材基板とを分離する際に窒化物半導体が割れるのを防止する。 【解決手段】 サファイア基板1上にGaN膜2を成長した後、サファイア基板1の裏面よりエキシマKrFレーザを照射してサファイア基板1とGaN膜2とを分離する。エキシマKrFレーザのパルス幅は5ns、光強度100mJ/cm2、ビーム径は30mmとする。その後、GaN膜2のレーザを照射された部分に対し研磨を行い、GaN膜2を平らにしてGaNウェハ21を得る。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：当氮化物半导体与基材衬底分离时，防止氮化物半导体的破裂。解决方案：在蓝宝石衬底1上生长GaN膜2之后，通过从蓝宝石衬底1的背面照射准分子KrF激光器将其与GaN膜2分离。准分子KrF激光器的脉冲宽度设置为5ns光强度设定为100mJ / cm2，光束直径设定为30nm。之后，对部分用激光照射的GaN膜2的一部分进行抛光，使GaN膜2平坦化，并获得GaN晶片21。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2001-01-29 |
| 专利号 | JP2002222773A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2001019552 |
| 公开（公告）号 | JP2002222773A |
| IPC 分类号 | C23C16/34 | H01S5/323 | B23K101/40 | B23K26/40 | H01L21/268 | H01L21/26 | H01L33/32 | B23K26/00 | C23C16/02 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 岩橋 文雄 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60579 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田村 聡之,小川 雅弘,石田 昌宏. 窒化物半導体ウェハの製造方法. JP2002222773A[P]. 2002-08-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2002222773A.PDF（34KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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