Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
| 左文字 克哉; 山田 篤志; 石田 昌宏 | |
| 2009-04-16 | |
| 专利权人 | パナソニック株式会社 |
| 公开日期 | 2009-04-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】性能の低下を伴うことなく動作電圧を低くすることができる。 【解決手段】リッジ型の半導体発光素子は活性層104の上にクラッド層106と電極111とを順に有し、クラッド層106は上面にリッジ106aを有している。第1誘電体膜108がクラッド層106の上面のうちリッジ106aが形成されていない部分とリッジ106aの側面とを覆い、第2誘電体膜110が第1誘電体膜108の上面における周縁部分を覆う。第2誘電体膜110のエッチングレートは、第1誘電体膜108のエッチングレートよりも速い。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：允许降低工作电压而不会降低性能。解决方案：脊型半导体发光器件具有在有源层104上方顺序形成的包层106和电极111，并且包层106在其顶表面上具有脊106a。第一介电膜108覆盖包层106的顶表面，其中没有形成脊106a，脊106a的侧面。第二介电膜110覆盖第一介电膜108的顶表面的圆周部分。第二介电膜110的蚀刻速率快于第一介电膜108的蚀刻速率。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2007-09-27 |
| 专利号 | JP2009081373A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2007251068 |
| 公开（公告）号 | JP2009081373A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 前田 弘 | 竹内 宏 | 嶋田 高久 | 竹内 祐二 | 今江 克実 | 藤田 篤史 | 二宮 克也 | 原田 智雄 | 井関 勝守 | 関 啓 | 杉浦 靖也 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67119 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パナソニック株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 左文字 克哉,山田 篤志,石田 昌宏. 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法. JP2009081373A[P]. 2009-04-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2009081373A.PDF（331KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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