Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| III族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法 | |
| 其他题名 | III族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法 |
| 橋本 忠朗; 今藤 修; 石田 昌宏; 杉野 隆 | |
| 1997-09-22 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 公开日期 | 1997-09-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 光デバイス、電子デバイス等に用いる高品位の立方晶III族窒化物半導体をエピタキシャル成長することを目的とする。 【解決手段】 Si基板1上にCVD法により立方晶SiC層2を形成し、その上にMOCVD法によりGaNバッファ膜3を堆積する。このGaNバッファ膜3上に、NH3とTMGaを原料ガスとしたMOCVD法により、基板温度800℃で立方晶GaN結晶4を成長させる。この時、堆積したGaNバッファ膜3中の原子は立方晶SiC基板の原子配列に従い再配列し、GaNバッファ膜3は立方晶に変化する。これにより、SiC層2の立方晶の結晶構造を最上層の立方晶GaN結晶に引き継ぐことができる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题外延生长用于光学器件，电子器件等的高质量立方III族氮化物半导体。 通过CVD方法在Si衬底1上形成立方SiC层2，并通过MOCVD在其上沉积GaN缓冲膜3。在该GaN缓冲膜3上，通过MOCVD以NH 3 和TMGa作为源气体，在800℃的衬底温度下生长立方GaN晶体4。此时，沉积的GaN缓冲膜3中的原子根据立方SiC衬底的原子排列重新排列，并且GaN缓冲膜3变为立方晶体。结果，SiC层2的立方晶体结构可以转移到最上层的立方GaN晶体。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1996-03-15 |
| 专利号 | JP1997249499A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996059034 |
| 公开（公告）号 | JP1997249499A |
| IPC 分类号 | H01L33/34 | H01S5/323 | H01L33/16 | H01L33/12 | C30B29/38 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L21/205 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 滝本 智之 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67284 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橋本 忠朗,今藤 修,石田 昌宏,等. III族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法. JP1997249499A[P]. 1997-09-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997249499A.PDF（149KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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