窒化物半導体の結晶成長方法および窒化物半導体装置並びにその製造方法

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	窒化物半導体の結晶成長方法および窒化物半導体装置並びにその製造方法
其他题名	窒化物半導体の結晶成長方法および窒化物半導体装置並びにその製造方法
	伊藤国雄; 石田昌宏
	2000-02-18
专利权人	MATSUSHITA ELECTRON CORP
公开日期	2000-02-18
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】窒化物半導体結晶層における転位を従来よりも減少させる窒化物半導体の結晶成長方法を提供する。【解決手段】本発明の窒化物半導体の結晶成長方法は、基板上に金属単結晶層を形成する工程と、金属単結晶層を窒化することによって金属窒化物単結晶層を形成する工程と、金属窒化物単結晶層上に窒化物半導体層をエピタキシャル成長する工程とを包含する。
其他摘要	要解决的问题：通过在通过氮化单晶金属层形成的单晶金属氮化物层上外延生长晶体氮化物半导体层来获得具有较少缺陷和位错的氮化物半导体层。解决方案：在生长氮化物半导体晶体的方法中，单晶绝缘体，单晶Si1-s-tGesCt（0 <= s，t <= 1，0 <= s + t <= 1）或A1 -uBu（0
申请日期	1999-05-21
专利号	JP2000049092A
专利状态	失效
申请号	JP1999141143
公开（公告）号	JP2000049092A
IPC 分类号	H01L33/34 \| H01S5/30 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L21/203 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/00
专利代理人	前田弘 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86857
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRON CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	伊藤国雄,石田昌宏. 窒化物半導体の結晶成長方法および窒化物半導体装置並びにその製造方法. JP2000049092A[P]. 2000-02-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000049092A.PDF（173KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文