中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3792041B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28
发明人:  橋本 忠朗;  油利 正昭;  今藤 修;  石田 昌宏
Adobe PDF(213Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2019/12/24
半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999298091A, 申请日期: 1999-10-29, 公开日期: 1999-10-29
发明人:  伊藤 国雄;  橋本 忠朗
Adobe PDF(36Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/01/13
窒化物系化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998284802A, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1998-10-23
发明人:  今藤 修;  油利 正昭;  橋本 忠朗;  石田 昌宏;  杉野 隆
Adobe PDF(34Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2020/01/18
III族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997249499A, 申请日期: 1997-09-22, 公开日期: 1997-09-22
发明人:  橋本 忠朗;  今藤 修;  石田 昌宏;  杉野 隆
Adobe PDF(149Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：168/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997214048A, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-08-15
发明人:  橋本 忠朗;  今藤 修;  粂 雅博
Adobe PDF(73Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2020/01/18
窒化物半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999274648A, 公开日期: 1999-10-08
发明人:  伊藤 国雄;  橋本 忠朗
Adobe PDF(34Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/12/26