Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 伊藤 国雄; 石田 昌宏 | |
| 1999-11-30 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 公开日期 | 1999-11-30 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 窒化物系半導体発光素子の活性層へ成長する欠陥の個数を従来よりも少なくする。 【解決手段】 サファイア基板8上にAsを含んだGaNよりなるバッファ層9、n型GaNコンタクト層10、n型Ga0.9Al0.1Nクラッド層11、活性層12、p型Ga0.9Al0.1Nクラッド層13およびp型GaNコンタクト層14が順次積層された構造を有している。バッファ層9におけるAsの含有量は約1019/cm3である。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：减少生长到氮化物半导体发光元件的有源层的缺陷的数量。解决方案：该元件具有这样的结构：由包括As的GaN，n型GaN接触层10，n型Ga0.9Al0.1N包覆层11，有源层12，p-构成的缓冲层9在蓝宝石衬底8上依次堆叠Ga0.9Al0.1N包层13和p型GaN接触层14.缓冲层9中As的含量为1019 / cm3。 。 |
| 申请日期 | 1998-05-15 |
| 专利号 | JP1999330547A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998133010 |
| 公开（公告）号 | JP1999330547A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01L33/12 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 滝本 智之 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78604 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 国雄,石田 昌宏. 半導体発光素子およびその製造方法. JP1999330547A[P]. 1999-11-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999330547A.PDF（37KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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