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氮化物半导体激光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109787087A, 申请日期: 2019-05-21, 公开日期: 2019-05-21
发明人:  驹田聪;  津田有三
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窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18
发明人:  津田 有三;  伊藤 茂稔;  石田 真也;  花岡 大介;  神川 剛;  近江 晋
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氮化物半导体激光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102084560A, 申请日期: 2011-06-01, 公开日期: 2011-06-01
发明人:  太田征孝;  伊藤茂稔;  津田有三;  麦华路巴武吕;  高桥幸司
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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009059797A, 申请日期: 2009-03-19, 公开日期: 2009-03-19
发明人:  太田 征孝;  津田 有三
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窒化物半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007027181A, 申请日期: 2007-02-01, 公开日期: 2007-02-01
发明人:  高倉 輝芳;  津田 有三
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制造氮化物半导体的装置和方法及获得的半导体激光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1758419A, 申请日期: 2006-04-12, 公开日期: 2006-04-12
发明人:  荒木正浩;  山田英司;  汤浅贵之;  津田有三;  阿久津仲男
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氮化物半导体激光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1702927A, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2005-11-30
发明人:  津田有三;  花冈大介;  石田真也
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III-V族系窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2005093936A, 申请日期: 2005-04-07, 公开日期: 2005-04-07
发明人:  津田 有三;  毛利 裕一
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窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002217498A, 申请日期: 2002-08-02, 公开日期: 2002-08-02
发明人:  津田 有三;  湯浅 貴之;  伊藤 茂稔;  種谷 元隆;  山崎 幸生
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窒化物半導体発光素子、光ピックアップ装置、および、発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002158405A, 申请日期: 2002-05-31, 公开日期: 2002-05-31
发明人:  津田 有三;  伊藤 茂稔
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