Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体発光素子、光ピックアップ装置、および、発光装置 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子、光ピックアップ装置、および、発光装置 |
| 津田 有三; 伊藤 茂稔 | |
| 2002-05-31 | |
| 专利权人 | SHARP CORP |
| 公开日期 | 2002-05-31 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 界面の急峻性を改善することにより、発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 GaN1-x-y-zAsxPySbz井戸層(0 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过改善界面的陡度来提供具有高发光效率的氮化物半导体发光元件。解决方案：氮化物半导体发光元件包括阱层GaN1-x-y-zAsxPySbz（0 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2000-11-17 |
| 专利号 | JP2002158405A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2000351003 |
| 公开（公告）号 | JP2002158405A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/12 | H01L33/42 | H01L33/06 | C30B29/38 | H01L33/32 | G11B7/125 | H01L21/205 | H01L33/44 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 深見 久郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60543 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 津田 有三,伊藤 茂稔. 窒化物半導体発光素子、光ピックアップ装置、および、発光装置. JP2002158405A[P]. 2002-05-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2002158405A.PDF（95KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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