窒化物半導体レーザ装置

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	窒化物半導体レーザ装置
其他题名	窒化物半導体レーザ装置
	高倉輝芳; 津田有三
	2007-02-01
专利权人	SHARP CORP
公开日期	2007-02-01
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】上記窒化物半導体レーザ装置において、リッジストライプの損傷を防止し、且つ放熱性が良好で信頼性の高い窒化物半導体レーザ装置を提供すること。【解決手段】窒化物半導体レーザ素子がサブマウントまたはステムにジャンクションダウンで接合された窒化物半導体レーザ装置において、窒化物半導体レーザ素子は、p型窒化物半導体層と、p型電極と、金属膜とを含み、p型窒化物半導体層上面に、狭窄化されたリッジストライプが形成され、かつ、リッジストライプに沿って両脇に溝部が設けられたダブルチャネル構造が設けられ、p型電極は前記リッジストライプの頂上部に接し、かつp型窒化物半導体層上面の形状に適合するように形成され、金属膜はp型電極上に形成され、かつ金属膜とp型電極との間に空洞がないことを特徴とする、窒化物半導体レーザ装置。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：通过防止脊在设备中受损，提供具有良好散热性能和高可靠性的氮化物半导体激光装置。 ŽSOLUTION：氮化物半导体激光器装置，其中氮化物半导体激光器元件与子安装座或杆接头连接;氮化物半导体激光元件包括p型氮化物半导体层，p型电极和金属膜。提供一种双沟道结构，其中在p型氮化物半导体层的上表面中形成窄脊力，并且沿脊的相对侧上设置沟槽。 p型电极与脊的顶部接触并形成，适合于p型氮化物半导体层的上表面的形状。金属膜形成在p型电极上，而金属膜和p型电极之间没有空腔。 Ž
主权项	-
申请日期	2005-07-12
专利号	JP2007027181A
专利状态	失效
申请号	JP2005202911
公开（公告）号	JP2007027181A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/042 \| H01S5/323 \| H01S5/00
专利代理人	深見久郎 \| 森田俊雄 \| 仲村義平 \| 堀井豊 \| 野田久登 \| 酒井將行
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51493
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	高倉輝芳,津田有三. 窒化物半導体レーザ装置. JP2007027181A[P]. 2007-02-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2007027181A.PDF（81KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文